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GADGET BEHIND IT · 5 MIN READ

인텔 18A-P, 동일 전력에서 성능 9% 향상 또는 전력 18% 감소

JD 젤리비 편집국 · 2026.06.16 SHARE · COPY LINK

무슨 발표인가

  • Intel 18A-P가 위험생산 진입
  • 동일 전력에서 성능 9% 향상, 또는 동일 성능에서 전력 18% 감소 달성
  • 열 특성 향상 및 설계 유연성 확대

원문 (영어)

Intel Foundry、VLSI Symposiumでプロセスの成果と将来のイノベーションの詳細を発表 June 16, 2026 公開日 Intel Foundry 非表示 表示 Image --> Intel 18A, Intel Foundry's leading-edge process node, entered into production in 2025. With RibbonFET and PowerVia, foundry customers are unlocking greater processor scale and efficiency to drive the future of AI computing forward. (Credit: Intel Foundry) Intel 18A-Pがリスク生産に移行:Intel 18Aとの設計ルール互換性を維持しながら、高性能化、熱特性の向上を実現 --> Share この記事内で: Intel Foundryは、2026 VLSI Symposiumにおいて、プロセス・ロードマップおよび長期的なイノベーションに向けた投資に関する最新情報を発表しました。同社は、Intel 18Aファミリーにおける初の性能強化版となるIntel 18A-Pがリスク生産に入ったことを明らかにしました。これは、昨年、顧客やパートナーに提示したスケジュールに沿った進捗となります。 インテル コーポレーション主席副社長 兼 Intel Foundryゼネラルマネージャー ナガ・チャンドラセカラン(Naga Chandrasekaran)は「VLSIでの最新情報や発表は、Intel Foundryが顧客やパートナーに対し、長期にわたり最先端のプロセス技術の革新に全力で取り組んでいることを示すものです。これは長い道のりであり、取り組みは継続中ですが、Intel 18A-Pおよび長期的な研究開発の進捗を共有できることを嬉しく思います」と述べています。 VLSIで発表されたIntel 18A-Pの最新情報 Intel Foundryは、トランジスタ、インターコネクト、および設計・技術の協調最適化を組み合わせることで、Intel 18A-Pにおける性能、電力効率、設計上の利点を実現しています。VLSIでは、Intel Foundryの技術者が以下の先進技術の詳細を発表しました。 Intel 18A-Pは、Intel 18Aと比較して、同一電力(iso‑power)において9%の性能向上、または同一性能(iso-performance)において18%の消費電力削減を達成。同時に、熱特性の向上と設計の柔軟性の拡大を実現 Intel 18A-Pの新しいトランジスタのオプションである「Power Boost」により、低抵抗デュアルコンタクト構造を実現。これにより、同一容量における駆動電流の増加と動作周波数の向上が可能に 材料と設計双方の革新により、熱抵抗を20〜40%低減 形状および材料の最適化により、ビア抵抗(チップ層間の垂直接続)を10〜30%改善 歪み工学によるPMOSの移動度向上を通じて、トランジスタ内の電流の流れを効率化 低消費電力および高性能向けの新しいトランジスタ・オプションを提供 ULVTとLVTの間に新たに5つ目のロジックVtペアのオプションを追加(設計者による速度と電力のバランスの調整が可能) Intel 18A-Pは、Intel 18Aと完全に設計ルール互換性があり、既存のIPや設計フローの容易な再利用が可能 Intel 18A-Pは、Intel 18Aと同様に、2つのセル高さ(180nmおよび160nm)と、50nmのコンタクテッド・ポリ・ピッチを提供 VLSIにおけるその他の発表アップデート Intel Foundryは昨年、Intel 18Aプロセスを用いて、ゲート・オール・アラウンド(GAA)トランジスタと裏面電源供給(BSPD)技術を市場に投入しました。今週、同社の技術チームは、これらの技術が将来のロジック設計における性能、電力効率、およびスケーリングの向上に、どのように貢献するかについて

원문: Intel Newsroom — "Intel Foundry、VLSI Symposiumでプロセスの成果と将来のイノベーションの詳細を発表" (2026-06-16) 공식 원문: https://newsroom.intel.com/ja/intel-foundry/intel-foundry%e3%80%81vlsi-symposium%e3%81%a7%e3%83%97%e3%83%ad%e3%82%bb%e3%82%b9%e3%81%ae%e6%88%90%e6%9e%9c%e3%81%a8%e5%b0%86%e6%9d%a5%e3%81%ae%e3%82%a4%e3%83%8e%e3%83%99%e3%83%bc%e3%82%b7%e3%83%a7

#Intel Newsroom
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인텔 18A-P, 동일 전력에서 성능 9% 향상 또는 전력 18% 감소

젤리비 편집국·2026.06.16·5 MIN
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무슨 발표인가 원문 (영어)

무슨 발표인가

  • Intel 18A-P가 위험생산 진입
  • 동일 전력에서 성능 9% 향상, 또는 동일 성능에서 전력 18% 감소 달성
  • 열 특성 향상 및 설계 유연성 확대

원문 (영어)

Intel Foundry、VLSI Symposiumでプロセスの成果と将来のイノベーションの詳細を発表 June 16, 2026 公開日 Intel Foundry 非表示 表示 Image --> Intel 18A, Intel Foundry's leading-edge process node, entered into production in 2025. With RibbonFET and PowerVia, foundry customers are unlocking greater processor scale and efficiency to drive the future of AI computing forward. (Credit: Intel Foundry) Intel 18A-Pがリスク生産に移行:Intel 18Aとの設計ルール互換性を維持しながら、高性能化、熱特性の向上を実現 --> Share この記事内で: Intel Foundryは、2026 VLSI Symposiumにおいて、プロセス・ロードマップおよび長期的なイノベーションに向けた投資に関する最新情報を発表しました。同社は、Intel 18Aファミリーにおける初の性能強化版となるIntel 18A-Pがリスク生産に入ったことを明らかにしました。これは、昨年、顧客やパートナーに提示したスケジュールに沿った進捗となります。 インテル コーポレーション主席副社長 兼 Intel Foundryゼネラルマネージャー ナガ・チャンドラセカラン(Naga Chandrasekaran)は「VLSIでの最新情報や発表は、Intel Foundryが顧客やパートナーに対し、長期にわたり最先端のプロセス技術の革新に全力で取り組んでいることを示すものです。これは長い道のりであり、取り組みは継続中ですが、Intel 18A-Pおよび長期的な研究開発の進捗を共有できることを嬉しく思います」と述べています。 VLSIで発表されたIntel 18A-Pの最新情報 Intel Foundryは、トランジスタ、インターコネクト、および設計・技術の協調最適化を組み合わせることで、Intel 18A-Pにおける性能、電力効率、設計上の利点を実現しています。VLSIでは、Intel Foundryの技術者が以下の先進技術の詳細を発表しました。 Intel 18A-Pは、Intel 18Aと比較して、同一電力(iso‑power)において9%の性能向上、または同一性能(iso-performance)において18%の消費電力削減を達成。同時に、熱特性の向上と設計の柔軟性の拡大を実現 Intel 18A-Pの新しいトランジスタのオプションである「Power Boost」により、低抵抗デュアルコンタクト構造を実現。これにより、同一容量における駆動電流の増加と動作周波数の向上が可能に 材料と設計双方の革新により、熱抵抗を20〜40%低減 形状および材料の最適化により、ビア抵抗(チップ層間の垂直接続)を10〜30%改善 歪み工学によるPMOSの移動度向上を通じて、トランジスタ内の電流の流れを効率化 低消費電力および高性能向けの新しいトランジスタ・オプションを提供 ULVTとLVTの間に新たに5つ目のロジックVtペアのオプションを追加(設計者による速度と電力のバランスの調整が可能) Intel 18A-Pは、Intel 18Aと完全に設計ルール互換性があり、既存のIPや設計フローの容易な再利用が可能 Intel 18A-Pは、Intel 18Aと同様に、2つのセル高さ(180nmおよび160nm)と、50nmのコンタクテッド・ポリ・ピッチを提供 VLSIにおけるその他の発表アップデート Intel Foundryは昨年、Intel 18Aプロセスを用いて、ゲート・オール・アラウンド(GAA)トランジスタと裏面電源供給(BSPD)技術を市場に投入しました。今週、同社の技術チームは、これらの技術が将来のロジック設計における性能、電力効率、およびスケーリングの向上に、どのように貢献するかについて

원문: Intel Newsroom — "Intel Foundry、VLSI Symposiumでプロセスの成果と将来のイノベーションの詳細を発表" (2026-06-16) 공식 원문: https://newsroom.intel.com/ja/intel-foundry/intel-foundry%e3%80%81vlsi-symposium%e3%81%a7%e3%83%97%e3%83%ad%e3%82%bb%e3%82%b9%e3%81%ae%e6%88%90%e6%9e%9c%e3%81%a8%e5%b0%86%e6%9d%a5%e3%81%ae%e3%82%a4%e3%83%8e%e3%83%99%e3%83%bc%e3%82%b7%e3%83%a7

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