JD 젤리비 편집국 · 2026.06.12 SHARE · COPY LINK

무슨 발표인가

• 凸点 간격 25μm로 단축
• 패키지 120×120mm로 확대, 9개 광마스크 이상 칩렛 집적
• HBM4e 12Gb/s·UCIe 64Gb/s 고속 전송 지원

ECTC 2026

원문 (영어)

ECTC 2026 | 速览EMIB-T 技术的最新进展 June 12, 2026 发布 英特尔代工 隐藏 展示 Image --> --> Share 在本文中: AI需要算力，而提升算力的路径，不只是让晶体管变得更小，还可以通过先进封装在单个设备中集成越来越多的芯粒（chiplet），包括CPU、GPU等计算单元、负责读写数据的存储单元、I/O接口等等。 芯粒越来越多，封装的尺寸自然也越来越大，一直到多个光罩尺寸（光刻机单次曝光的最大面积）。但是，尺寸变大之后，供电、互连、散热、机械稳定性等方面都会面临艰巨的技术挑战。 为了提升大型芯片系统的性能和可靠性，英特尔一直在推进相关技术的前沿探索。近日，在 ECTC 2026 （ IEEE 电子元件与技术大会） ​ 上，英特尔发表了多项研究进展，让我们一起来看看。 EMIB-T ：从 “ 桥梁 ” 到 “ 立交桥 ” 如果说 EMIB 是一座连接芯粒的桥梁，那么EMIB-T就是一座立交桥。 使用EMIB封装时，要将电流从电源输送至芯片，仍然需要进行复杂的布线。EMIB-T则通过引入TSV（硅通孔）实现了垂直供电，电流可以直接穿过基板（EMIB-T封装位于基板内部），抵达芯片，从而大幅缩短供电路径，提高供电密度。 在ECTC 2026上，英特尔展示了EMIB-T技术的最新进展： 第一层互连（离芯片最近的互连层）凸点间距缩小至 25 微米 ​； 封装尺寸扩大至 120 × 120 毫米 ​； 单个封装集成 超过 9 个光罩面积 ​的计算与存储芯片； 协同优化信号与供电完整性，支持 12 Gb/s ​ HBM4e 和 64 Gb/s UCIe ​高速传输。 EMIB-T让封装尺寸不再被供电瓶颈限制。 光电共封装：让数据 “ 光速奔跑 ” 数据中心的规模越来越大，超大尺寸封装需要支持长距离、高带宽的数据传输。 硅光技术 通过I/O将电信号转化为光信号，让光在由硅材料制成的光波导中传播，到达另一端的I/O后再转回电信号，提高了互连带宽。 <img decoding="async" class="aligncenter size-full wp-image-8815" src="https://newsroom.

intel.com/wp-content/uploads/2026/06/prc-integrates-optical-electrical-IO-1.jpg" alt="" width="1920" height="1080" srcset="https://newsroom.intel.com/wp-content/uploads/2026/06/prc-integrates-optical-electrical-IO-1.jpg 1920w, https://newsroom.intel.

원문: Intel Newsroom — "ECTC 2026 | 速览EMIB-T 技术的最新进展" (2026-06-12) 공식 원문: https://newsroom.intel.com/zh-cn/%e8%8b%b1%e7%89%b9%e5%b0%94%e4%bb%a3%e5%b7%a5/ectc-2026-%e9%80%9f%e8%a7%88emib-t-%e6%8a%80%e6%9c%af%e7%9a%84%e6%9c%80%e6%96%b0%e8%bf%9b%e5%b1%95