JD 젤리비 편집국 · 2026.06.22 SHARE · COPY LINK

무슨 발표인가

• Intel 18A-P 위험 시생산 단계 진입
• 같은 전력 대비 성능 9% 향상, 같은 성능 대비 전력 18% 절감
• 열 저항 20~40% 감소, via 저항 10~30% 감소

위험시생산 단계

원문 (영어)

英特尔代工在VLSI研讨会上详解制程节点里程碑与未来技术创新 June 16, 2026 发布 英特尔代工 隐藏 展示 Image --> Intel 18A, Intel Foundry's leading-edge process node, entered into production in 2025. With RibbonFET and PowerVia, foundry customers are unlocking greater processor scale and efficiency to drive the future of AI computing forward. (Credit: Intel Foundry) Intel 18A-P制程现已进入风险试产阶段，具备更高的性能、增强的热特性，并与Intel 18A在设计规则上兼容。 --> Share 在本文中: 在2026年VLSI（超大规模集成电路）国际研讨会上，英特尔代工介绍了其制程路线图和未来技术创新方面的最新进展。Intel 18A-P作为Intel 18A系列的首个性能增强版本，现已进入风险试产阶段，符合去年首次向客户和合作伙伴公布的时间表。 “我们在VLSI研讨会上展示的最新进展和所作的报告，向英特尔代工的客户和合作伙伴传递了一个明确信号：我们长期坚定致力于前沿制程创新。”英特尔代工执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran表示，“这是一段持续推进的旅程，前方仍有更多工作要做。我们很高兴有机会分享我们在Intel 18A-P以及更长期研发方面取得的进展。” Intel 18A-P 的最新进展 得益于晶体管、互连和设计技术的协同优化，Intel 18A-P在性能、功耗和设计方面均具优势。在VLSI研讨会上，英特尔代工的工程师详细介绍了以下技术进展： 与Intel 18A相比，Intel 18A-P在相同功耗下性能可提升9%，或在相同性能下功耗可降低18%，同时具备增强的热特性，在芯片设计上也更灵活。 新增Power Boost能效增强技术，这是Intel 18A-P的全新双接触、低电阻晶体管方案，可在不增加电容的情况下提升驱动电流，并实现更高的运行频率。 通过材料和设计创新，热阻降低了20%-40%。 利用几何和材料优化，过孔电阻（指芯片各层之间的垂直连接）降低了10%-30%。 通过应变工程提升PMOS的迁移率，使电流更高效地通过晶体管。 新增低功耗与高性能晶体管选项。 在ULVT和LVT之间新增第五组Vt（逻辑阈值电压）选项，为芯片设计人员提供平衡速度与功耗的额外选择。 Intel 18A-P与Intel 18A的设计规则完全兼容，可便捷复用现有IP和设计流程。 与Intel 18A相同，Intel 18A-P提供两种单元高度（180nm和160nm），接触栅极间距（Contacted Poly Pitch）为50nm。 GAA 晶体管和背面供电技术的最新研究

원문: Intel Newsroom — "英特尔代工在VLSI研讨会上详解制程节点里程碑与未来技术创新" (2026-06-22) 공식 원문: https://newsroom.intel.com/zh-cn/%e8%8b%b1%e7%89%b9%e5%b0%94%e4%bb%a3%e5%b7%a5/%e8%8b%b1%e7%89%b9%e5%b0%94%e4%bb%a3%e5%b7%a5%e5%9c%a8vlsi%e7%a0%94%e8%ae%a8%e4%bc%9a%e4%b8%8a%e8%af%a6%e8%a7%a3%e5%88%b6%e7%a8%8b%e8%8a%82%e7%82%b9%e9%87%8c%e7%a8%8b%e7%a2%91%e4%b8%8e%e6%9c%aa